PVT法長晶爐——電阻爐
所屬分類：
化合物晶體設備
PVT法單晶生長設備
概要：
適用領域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?SiC、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch
關鍵詞：
PVT法長晶爐——電阻爐
PVT法長晶爐——電阻爐
產品應用/Product Applications
適用領域：單晶生長
Relevant Industries: Single Crystal Growth
適用材料: SiC、AIN
Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圓尺寸: 12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
技術指標 /Technical Parameters
制程溫度范圍：2400°C
Process Temperature Range: 2400°C
加熱方式：感應/電阻
Heating Method: Induction/Resistance
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PVT法長晶爐——感應爐
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